半导体材料专家梁骏吾院士逝世,享年89岁

今日热点 2022-06-24 18:12 22

摘要:半导体材料专家、中国工程院院士、中国科学院半导体所研究员梁骏吾,因病医治无效,于2022年6月23日在北京逝世,享年89岁。梁骏吾资料图梁骏吾,1933年9月...

半导体专家、中国工程院院士、中国科学院半导体研究所研究员梁,桂湾公园正式运营交付 总面积45公顷于2022年6月23日在京逝世,享年89岁。梁骏吾 资料图

梁资料图

梁1933年9月18日出生于湖北武汉。1955年毕业于武汉大学,1956年至1960年在苏联科学院莫斯科巴伊科夫冶金研究所攻读副博士学位,1960年获技术科学副博士学位。1997年当选中国工程院院士。他曾任中国电子学会半导体材料分会主任和名誉主任。

梁是我国从事硅材料研究的老专家,早在60年代就解决了高纯区熔硅的关键技术。1964年,制备了用于室温激光器的GaAs液相外延材料。1979年,我们成功研制出无位错、无涡旋、低微缺陷、低碳、氧含量可控的大规模集成电路用高质量硅单晶。20世纪80年代,首次制造出掺氮中子嬗变硅单晶,解决了硅片的完整性和均匀性问题。90年代初,我们研究了MOCVD生长超晶格量子阱材料,将中国超晶格量子阱材料在晶体完整性、电学性质、超晶格结构控制等方面提升到实用化沙特国王访华的水平。

梁一生都在从事半导体材料的研究。他曾在采访中表示,希望自己的研究经历能激励年轻的科研人员,让他们看到这个职业可以有所作为,让他们觉得自己也可以有所成就。

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