3纳米良率低于目标量产延后?三星:仍按计划在二季度推进

今日热点 2022-06-22 17:27 26

摘要:韩国首尔,三星总部大楼。人民视觉资料图6月22日,三星电子否认了韩国当地媒体《东亚日报》有关延后3纳米量产的报道。三星一位发言人通过电话表示,三星目前仍按...

韩国首尔,<a href=讲武谈兵|美军轻型坦克竞标尘埃落定,与15式坦克相比如何三星总部大楼。人民视觉 资料图" style="width:600px;" src="http://www.efvip.cn/zb_users/upload/2022/06/20220622172714165589003445181.jpg">

韩国首尔,三星总部大楼。人民视觉资料图

6月22日,三星电子否认了韩国当地媒体《东亚日报》关于推迟3 nm量产的报道。三星发言人通过电话表示,三星仍将如期在第二季度开始大规模生产3纳米芯片。

003010此前报道称,三星3 nm量产将延迟,原因是良率远低于目标。

6月21日,韩国媒体BusinessKorea报道,为了赶超TSMC,三星加大了对3 nm GAA技术的押注,希望在未来三年内建立GAA技术的3 nm芯片工艺,并在2025年量产基于GAA工艺的2 nm芯片。

BusinessKorea报道称,据报道,三星已于6月初引入3 nm GAA工艺进行实验性量产,成为首家使用GAA技术的公司,希望该技术能够实现量子飞跃,缩短与TSMC的差距。

三星的策略是在今年上半年将GAA技术应用于3nm工艺,并计划在明年将GAA技术引入第二代3nm芯片。TSMC的战略是在今年下半年以稳定的FinFET工艺进入3 nm半导体市场。

TSMC最近透露,该公司的2纳米工艺将于2025年开始量产。三星希望将赌注押在3纳米环绕栅技术(GAA)技术上,在未来三年内用GAA技术完成3纳米芯片工艺,并在2025年量产基于GAA工艺的2纳米芯片。届时,两家公司将同时量产最先进的2nm工艺。

据BusinessKorea报道,GAA是改进半导体晶体管结构的下一代工艺技术,使栅极可以接触晶体管的四个侧面。相对于FinFET只能接触晶体管三面的现状,GAA结构可以比FinFET工艺更精确地控制电流。三星正押注于将GAA技术应用于3 nm工艺,以赶上TSMC。

据悉,三星的3纳米工艺将半导体的性能和电池的效率分别提高了15%和30%,而与5纳米工艺相比,芯片面积减少了35%。

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